作者：罗小梦; 王立新; 杨尊松; 王路璐分离栅mso结构特征导通电阻特征栅漏电荷
摘要：把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET（Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构）,并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET（Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构）,之后介绍了MSO结构的器件结构和制备工艺,重点借助TCAD仿真软件对MSO结构的外延层掺杂浓度、顶部侧氧厚度与底部侧氧厚度进行优化,最终仿真得到击穿电压为126V,特征导通电阻为30.76mΩ·mm~2和特征栅漏电荷为0.351nC·mm~（-2）的MSO结构.在近似相等的击穿电压下,与传统SGT结构相比,MSO结构的特征导通电阻及特征栅漏电荷均有所降低,这两项参数综合反映器件的优值（FOM=Qgd,sp×RonA）降低了39.6%.
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