作者：韩晓东; 周树兰; 赵显; 江向平电子结构第一性原理带边位置缺陷形成能
摘要：本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了F掺杂、N掺杂和F+N共掺杂NaNbO3的晶体结构、形成能、电子结构和带边位置。结果表明F、N单掺杂和共掺杂使得NaNbO3的晶格发生畸变，且共掺杂时晶胞体积最大。F掺杂的形成能大大低于N掺杂，共掺杂的形成能低于N掺杂，因而F的引入可增加N的掺杂量。F掺杂在导带底部形成了Nb4d的部分占据态使带隙降低了0.46eV；N掺杂在价带上方形成了部分占据的N2p电子态，使其光吸收扩展到可见光范围；F+N共掺杂消除了F、N单掺杂的部分占据态，且具有较强的氧化还原能力，其很有可能在可见光下催化裂解水。
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