外场下SnO分子结构和特性研究

作者：黄多辉 王藩侯 袁娣sno外电场激发特性

摘要：对Ｓｎ原子采用ＳＤＢ-ｃｃ-ｐＶＴＺ基组，Ｏ原子采用 ６-３１１＋＋Ｇ基组，利用密度泛函中的 Ｂ３Ｐ８６方法对 ＳｎＯ分子的基态结构进行了优化计算，并研究了外场对 ＳｎＯ基态分子的键长、总能、电荷布居分布、能级分布、电偶极矩、谐振频率和红外谱强度的影响。并利用杂化密度泛函理论（ＣＩＳＤＦＴ）方法研究了外电场对 ＳｎＯ分子由基态到前 ６个单重激发态跃迁规律的影响。结果表明，在所加电场范围内，随着正向电场 Ｆ的逐渐增大，基态分子的键长 Ｒｅ先减小后增大，在 Ｆ＝００４ａ．ｕ．时取得最小值 ０１７９６ｎｍ；总能先增大后减小，其在 Ｆ＝００３ａ．ｕ．时取得最大值 －２１４４８３９６ｅＶ；电偶极矩则先减小后增大，在 Ｆ＝００３ａ．ｕ．时取得最小值 ０２１２４Ｄｅｂｙｅ；ＳｎＯ基态分子的最高已占据轨道（ＨＯＭＯ）能量 ＥＨ和谐振频率逐渐增大；红外光谱强度、分子的最低未占空轨道（ＬＵＭＯ）能量ＥＬ和能隙 Ｅｇ则逐渐减小。外电场的大小与方向对跃迁电偶极矩、跃迁波长、激发能和振子强度均有很大影响。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社