作者：李永平 刘杰 姜永超 田强si夹层x射线光电子谱测量深能级瞬态谱测量
摘要：用MBE生长了GaAs／Si／AlAs异质结及其对比样，通过深能级瞬态谱技术（DLTS）和X射线光电子谱测量（XPS）研究了Si夹层的引入对异质结的影响，研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷，异质结仍保持较好的质量，但使GaAs／AlAs的带阶发生了改变。
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