作者：李凡生; 余小英; 彭金云; 房慧; 张飞鹏; ...光电子学立方氧化镍强电场电子结构
摘要：基于平面波密度泛函理论研究了电场强度为10V·nm-1下立方结构氧化镍的电子结构性质。结果表明。立方相氧化镍在电场强度10V·nm-1下呈现导体的能带结构，价带上移到导带，态密度谱图在多个能量取得最值，局域化效应增强，费米能级附近的态密度增大为原系统的2倍多。费米能级上的载流子浓度由4e／eV增大到15e／eV，这源于Op、Nis、Nid态对费米面的贡献。强电场下的电子在不同量子状态之间显示了明显的转移，介电函数计算表明强电场下体系在0．32eV附近具有最大的吸收，吸收峰峰值66．89。强电场明显调控了NiO的电学、光学和场致光吸收性能。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
