作者：姚惠林; 路纲; 宋丽君; 王波光电子学量子效率效率下降电子阻挡层
摘要：通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管（LED）器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、电子泄漏、辐射符合效率等方面研究了效率上升的原因。对于LED光电器件,提高辐射复合速率有利于缓解电子泄漏,增加LED的发光功率,缓解LED在大电流下的效率下降。所设计的结构中采用InGaN/GaN作为LED的垒层,减小了由极化引起的静电场,增大了电子和空穴波函数的交叠比,进而增大了辐射复合速率。结果表明在160 mA注入电流下,外量子效率提高了近20%.
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