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GaAs量子阱中退极化效应对光学整流的影响

作者:彭飞非线性光学光学整流退极化效应量子阱

摘要:用弛豫时间近似和紧致密度矩阵方法,在施加偏向电场的GaAs方量子阱中,研究了退极化场对光学整流的影响。结果表明,退极化场使共振峰的位置向高能方向发生移动。对应三个不同的偏向电场F=3×104V/cm,4×104V/cm,8×104V/cm的共振峰的位置分别为^u=108.48meV,108.92meV,111.99meV。共振峰位置的偏移量分别为5.96meV、5.99meV、6.28meV,其偏移量随偏向电场的增大而略有增大。

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量子电子学报

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