作者：孙柏蔚; 胡晓宁光电子学hgcdte长波器件回熔暗电流
摘要：对三种不同工艺的HgCdTe长波器件（标准工艺、回熔处理、离子注入后退火）的I-V性能分别进行测试，并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数，分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因．文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成．从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷，导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加，器件反偏电阻减小，I-V性能变差。与离子注入后退火器件的性能变化相比，推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定。
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