作者：刘国梁; 姚江宏; 许京军; 王占国光电子学光致荧光速率方程多模量子点阵列热激发
摘要：多模量子点阵列的光致荧光（PL）光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义．利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程．研究表明，高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系；而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减．高密度量子点阵列中，载流子被热激发到浸润层后，部分地被大量子点再俘获，即在量子点族间转移；低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制。不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差。
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