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f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究
第15-19页
关键词: 铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅
2018年第01期
《红外与毫米波学报》
GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应
第50-55页
关键词: 氮化镓 异质结场效应晶体管 极化效应 二维电子气 电流崩塌效应
2005年第07期
《半导体技术》
基于60nmT型栅fT&f(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件(英文)
第641-645页
2016年第06期
《红外与毫米波学报》
基于MOCVD再生长n^+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax〉150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究
第534-537页
关键词: 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触
2016年第05期
《红外与毫米波学报》
高跨导AIGaN/GaN HFET器件研究
第371-374页
关键词: 异质结场效应晶体管 跨导 输出特性 直流特性
2006年第03期
《固体电子学研究与进展》
固态微波器件与电路的新进展
第329-335页
关键词: 固态微波 异质结场效应晶体管 异质结双极晶体管
2007年第04期
《中国电子科学研究院学报》
AlGaN器件欧姆接触的研究进展
第36-42页
关键词: algan 欧姆接触 肖特基接触 紫外探测器 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管
2009年第01期
《光电技术应用》
n型GaN欧姆接触的研究进展
第1-8页
关键词: gan 欧姆接触 紫外光子探测器 发光二极管 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管
2009年第08期
《红外》
p型GaN器件欧姆接触的研究进展
第69-76页
关键词: gan 欧姆接触 紫外光子探测器 发光二极管 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管
2009年第02期
《红外技术》
影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素
第225-229页
关键词: 自发极化 压电极化
2011年第04期
《微纳电子技术》
基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件
第524-530页
关键词: 氮化镓 异质结场效应晶体管 增强型 resurf
2012年第06期
《固体电子学研究与进展》
GaN基HFET电力电子器件的研究
第716-725页
关键词: gan 功率器件 击穿电压 导通电阻
2012年第11期
《微纳电子技术》
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双
异质结场效应晶体管
第589-592页
关键词: inaln gan algan双异质结 附加功率效率 碳 功率增益截止频率 最高振荡频率
2013年第08期
《半导体技术》
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