HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0
首页 论文大全 异质结场效应晶体管论文 列表
期刊分类
期刊收录
出版地区
f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究第15-19页
关键词: 铟铝氮氮化镓异质结  异质结场效应晶体管  电流增益截止频率  非合金欧姆接触工艺  纳米栅  
GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应第50-55页
关键词: 氮化镓  异质结场效应晶体管  极化效应  二维电子气  电流崩塌效应  
2005年第07期 《半导体技术》
基于MOCVD再生长n^+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax〉150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究第534-537页
关键词: 异质结场效应晶体管  电流增益截止频率  最大振荡频率  再生长欧姆接触  
高跨导AIGaN/GaN HFET器件研究第371-374页
关键词: 异质结场效应晶体管  跨导  输出特性  直流特性  
固态微波器件与电路的新进展第329-335页
关键词: 固态微波  异质结场效应晶体管  异质结双极晶体管  
AlGaN器件欧姆接触的研究进展第36-42页
关键词: algan  欧姆接触  肖特基接触  紫外探测器  高电子迁移率晶体管  异质结场效应晶体管  
2009年第01期 《光电技术应用》
n型GaN欧姆接触的研究进展第1-8页
关键词: gan  欧姆接触  紫外光子探测器  发光二极管  高电子迁移率晶体管  异质结场效应晶体管  
2009年第08期 《红外》
p型GaN器件欧姆接触的研究进展第69-76页
关键词: gan  欧姆接触  紫外光子探测器  发光二极管  高电子迁移率晶体管  异质结场效应晶体管  
2009年第02期 《红外技术》
影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素第225-229页
关键词: 自发极化  压电极化  
2011年第04期 《微纳电子技术》
基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件第524-530页
关键词: 氮化镓  异质结场效应晶体管  增强型  resurf  
GaN基HFET电力电子器件的研究第716-725页
关键词: gan  功率器件  击穿电压  导通电阻  
2012年第11期 《微纳电子技术》
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管第589-592页
关键词: inaln  gan  algan双异质结  附加功率效率  碳  功率增益截止频率  最高振荡频率  
2013年第08期 《半导体技术》