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短波红外InGaAs焦平面噪声特性
第528-534页
关键词: 铟镓砷 焦平面 噪声特性
2019年第04期
《红外与毫米波学报》
北京
第177-177页
关键词: cxs系列 旋转冲洗 调制器 曝光机 甩干机 铟镓砷 光电探测器 北京 项目 一体
2004年第10期
《深圳特区科技》
64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器
第107-111页
关键词: 焦平面阵列 线性模式 铟镓砷 飞行时间测距 三维成像
2018年第08期
《红外与激光工程》
非致冷In0.53Ga0.47As/InP红外探测器研究
第1056-1058页
关键词: 金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器
2005年第06期
《人工晶体学报》
量子级联激光器研究获新进展
第308-308页
关键词: 量子级联激光器 应变补偿 输出功率 重点实验室 材料科学 阈值电流 工作温度 铟铝砷 铟镓砷
2005年第04期
《中国科学院院刊》
比色式光纤温度测量仪的研究
第7-9页
关键词: 温度测量仪 测温原理 测温仪 重复性 测量结果 灵敏度 仪器 光纤 铟镓砷 光电二极管
2005年第02期
《工业计量》
德国开发出高灵敏度
铟镓砷
微波功率放大器
第77-77页
关键词: 高灵敏度 微波功率放大器 铟镓砷 开发 德国 测量设备 欧洲航天局 微波放大器
2017年第06期
《新材料产业》
基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件
第129-134页
关键词: 带间跃迁 光子探测器
2017年第02期
《红外与毫米波学报》
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响
第797-800页
关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 x射线衍射 扫描电子显微镜
2006年第05期
《发光学报》
In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件
第20-22页
关键词: 铟镓砷 金属有机化合物气相沉积 探测器
2007年第Z1期
《红外与激光工程》
平面型
铟镓砷
线列探测器的制备及伏安特性研究
第31-34页
关键词: 铟镓砷 线列探测器 伏安曲线 拟合
2007年第Z1期
《红外与激光工程》
生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响
第28-30页
关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 生长温度
2007年第Z1期
《红外与激光工程》
高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
第196-197页
关键词: 探测器 光响应度
2007年第07期
《微纳电子技术》
基于1.5GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究
第21-25页
关键词: 探测器 单光子探测 铟镓砷 铟磷雪崩光电二极管
2014年第02期
《光学学报》
中科院
铟镓砷
MOSFET射频开关芯片研究获进展
第24-24页
关键词: mosfet 铟镓砷 金属氧化物半导体场效应晶体管 开关芯片 中科院 射频 电子研究所 中国科学院
2016年第11期
《军民两用技术与产品》
古德里奇开发新一代夜视技术
第6-6页
关键词: 夜视技术 开发 德里 传感器技术 短波红外 摄像机 无人机 铟镓砷
2008年第03期
《国际航空》
缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜结构及电学性能的影响
第787-791页
关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 缓冲层 生长温度
2009年第06期
《发光学报》
不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响
第469-472页
关键词: 砷化镓 铟镓砷 缓冲层 弛豫特性
2010年第03期
《固体电子学研究与进展》
波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制
第-页
关键词: 光电探测器 化合物半导体 铟镓砷 气态源分子束外延
2008年第S3期
《红外与激光工程》
ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究
第2186-2189页
关键词: 感应耦合等离子体 铟镓砷 raman光谱 xrd 刻蚀损伤
2013年第08期
《红外与激光工程》
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