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期刊收录
出版地区
短波红外InGaAs焦平面噪声特性第528-534页
关键词: 铟镓砷  焦平面  噪声特性  
北京第177-177页
关键词: cxs系列  旋转冲洗  调制器  曝光机  甩干机  铟镓砷  光电探测器  北京  项目  一体  
2004年第10期 《深圳特区科技》
64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器第107-111页
关键词: 焦平面阵列  线性模式  铟镓砷  飞行时间测距  三维成像  
2018年第08期 《红外与激光工程》
非致冷In0.53Ga0.47As/InP红外探测器研究第1056-1058页
关键词: 金属有机化学气相沉积  铟镓砷  探测器  
2005年第06期 《人工晶体学报》
量子级联激光器研究获新进展第308-308页
关键词: 量子级联激光器  应变补偿  输出功率  重点实验室  材料科学  阈值电流  工作温度  铟铝砷  铟镓砷  
2005年第04期 《中国科学院院刊》
比色式光纤温度测量仪的研究第7-9页
关键词: 温度测量仪  测温原理  测温仪  重复性  测量结果  灵敏度  仪器  光纤  铟镓砷  光电二极管  
2005年第02期 《工业计量》
德国开发出高灵敏度铟镓砷微波功率放大器第77-77页
关键词: 高灵敏度  微波功率放大器  铟镓砷  开发  德国  测量设备  欧洲航天局  微波放大器  
2017年第06期 《新材料产业》
基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件第129-134页
关键词: 带间跃迁  光子探测器  
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响第797-800页
关键词: 铟镓砷  金属有机化学气相沉积  x射线衍射  扫描电子显微镜  
2006年第05期 《发光学报》
In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件第20-22页
关键词: 铟镓砷  金属有机化合物气相沉积  探测器  
2007年第Z1期 《红外与激光工程》
平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究第31-34页
关键词: 铟镓砷  线列探测器  伏安曲线  拟合  
2007年第Z1期 《红外与激光工程》
生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响第28-30页
关键词: 铟镓砷  金属有机化学气相沉积  生长温度  
2007年第Z1期 《红外与激光工程》
高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制第196-197页
关键词: 探测器  光响应度  
2007年第07期 《微纳电子技术》
基于1.5GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究第21-25页
关键词: 探测器  单光子探测  铟镓砷  铟磷雪崩光电二极管  
2014年第02期 《光学学报》
中科院铟镓砷MOSFET射频开关芯片研究获进展第24-24页
关键词: mosfet  铟镓砷  金属氧化物半导体场效应晶体管  开关芯片  中科院  射频  电子研究所  中国科学院  
古德里奇开发新一代夜视技术第6-6页
关键词: 夜视技术  开发  德里  传感器技术  短波红外  摄像机  无人机  铟镓砷  
2008年第03期 《国际航空》
缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜结构及电学性能的影响第787-791页
关键词: 铟镓砷  金属有机化学气相沉积  缓冲层  生长温度  
2009年第06期 《发光学报》
不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响第469-472页
关键词: 砷化镓  铟镓砷  缓冲层  弛豫特性  
波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制第-页
关键词: 光电探测器  化合物半导体  铟镓砷  气态源分子束外延  
2008年第S3期 《红外与激光工程》
ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究第2186-2189页
关键词: 感应耦合等离子体  铟镓砷  raman光谱  xrd  刻蚀损伤  
2013年第08期 《红外与激光工程》