应变量子阱论文

GaInAs／GaAs应变量子阱能带结构的计算第29-31页

关键词: 应变量子阱量子化能级跃迁长波长色散关系

2004年第05期《激光》

应变GaInNAs／GaAs量子阱光增益特性研究第232-234页

关键词: 应变量子阱光增益 gainnas

2005年第03期《半导体光电》

应变InGaAs／GaAs量子阱MoCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用第81-84页

关键词: 光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积

2005年第01期《量子电子学报》

AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱增益特性研究第85-89页

关键词: 光电子学应变量子阱光增益 alingaas 半导体激光器

2005年第01期《量子电子学报》

高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计第17-18页

关键词: 半导体激光器特征温度应变量子阱

2005年第04期《吉林师范大学学报·自然科学版》

1．3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器第971-974页

关键词: 激光技术偏振无关半导体光放大器应变量子阱金属有机化学气相外延法

2004年第08期《中国激光》

1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究第1868-1872页

关键词: 半导体技术 mocvd 偏振无关 algainasinp 应变量子阱半导体光放大器增益

2004年第06期《物理学报》

1．55μm AIGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究第1868-1872页

关键词: 半导体材料低压金属有机气相外延技术应变量子阱半导体光放大器增益

2004年第06期《物理学报》

金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究第4257-4261页

关键词: 应变量子阱半导体光放大器偏振无关 cw 波导结构低压金属有机化学气相外延偏振灵敏度减反膜蒸镀光致发光谱

2004年第12期《物理学报》

俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响第105-109页

关键词: 光电子学俄歇复合应变量子阱阈值电流密度特征温度

2007年第01期《量子电子学报》

AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究第24-25页

关键词: 半导体激光器热特性应变量子阱

2006年第03期《吉林师范大学学报·自然科学版》

高功率、高效率线阵半导体激光器的阳极氧化制备方法第1013-1016页

关键词: 激光器半导体激光器阳极氧化应变量子阱线阵激光器

2006年第08期《中国激光》

长波长大应变InGaAs／InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备第5216-5220页

关键词: mocvd 应变量子阱分布反馈激光器

2006年第10期《物理学报》

光抽运半导体激光器增益特性研究第1702-1708页

关键词: 激光器光抽运半导体激光器能带结构材料增益谱有限差分法应变量子阱

2010年第06期《光学学报》

热退火中应变量子阱的扩散激活能的研究第761-763页

关键词: 太阳电池应变量子阱热退火扩散激活能

2009年第09期《电源技术》

InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用第1665-1667页

关键词: 金属有机物化学气相淀积应变量子阱半导体激光器

2010年第07期《强激光与粒子束》

InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算第565-569页

关键词: 应变量子阱能带结构有限差分法

2011年第04期《北京工业大学学报》

生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响第325-329页

关键词: 应变量子阱偏析脱附光致发光谱

2008年第02期《发光学报》

InxGa1-xAs／GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响第164-168页

关键词: 分子束外延应变量子阱变温光致发光

2011年第02期《发光学报》

980mm OPS-VECSEL单个谐振周期内量子阱数目的理论分析第818-822页

关键词: 光抽运应变量子阱垂直外腔面发射激光器

2009年第06期《半导体光电》