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坩埚位置对PVT生长AlN晶体过程中物质传输的影响第665-670页
关键词: aln  物理气相传输法  模拟仿真  坩埚埚位  物质传输  
2019年第05期 《半导体光电》
宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展第14-19页
关键词: 碳化硅  物理气相传输法  功率器件  光导开关  器件失效  
2019年第04期 《强激光与粒子束》
锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究第535-539页
关键词: 物理气相传输法  ge掺杂  晶格匹配  欧姆接触  迁移率  
2018年第05期
基于PVT法自发形核生长AlN晶体的研究第680-684页
关键词: aln  物理气相传输法  热场设计  实验分析  
2017年第05期 《半导体光电》
高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究第5-7页
关键词: 物理气相传输法  sims  电阻率  
2017年第01期 《电子工艺技术》
Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷第1166-1170页
关键词: 物理气相传输法  ge掺杂  si  c晶体  晶格常数  
2016年第11期
3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制第432-435页
关键词: 物理气相传输法  高纯半绝缘  氮掺杂  碳空位  
2011年第04期 《中国电子科学研究院学报》
籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响第1426-1429页
关键词: 碳化硅单晶  晶体生长  物理气相传输法  籽晶  
2010年第08期 《硅酸盐学报》
PVT生长掺VSiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度第317-319页
关键词: 碳化硅  二次电子像衬度  载流子浓度  扫描电镜  物理气相传输法  
2010年第04期 《半导体技术》
退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究第194-195页
关键词: 物理气相传输法  退火  应力  
2013年第04期 《电子工艺技术》
物理气相传输法制备大面积AlN单晶第803-807页
关键词: 氮化铝单晶  物理气相传输法  碳化硅籽晶  
2013年第06期 《硅酸盐学报》
气相传输法生长超长AlN晶须第816-820页
关键词: aln  晶须  物理气相传输法  晶体形态  
2014年第04期 《硅酸盐通报》
PVT法碳化硅单晶生长系统的热场模拟第461-463页
关键词: 碳化硅  物理气相传输法  热场  有限元  
2014年第03期 《半导体光电》
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长第3055-3057页
关键词: 碳化硅  物理气相传输法  半绝缘  
2014年第11期 《人工晶体学报》
AlN单晶生长热场稳定性模拟第621-625页
关键词: 多物理场耦合  aln单晶  物理气相传输法  热场分布  稳定性  
2015年第08期 《半导体技术》
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