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高电导率p型AlGaN材料第-F0003页
关键词: 晶体质量  受主杂质  外延生长  mocvd系统  algan  mg掺杂  高电导率  效率提升  
GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究第62-68页
关键词: inas薄膜  inassb缓冲层  晶格失配  晶体质量  发光特性  分子束外延技术  x射线衍射  
2019年第10期 《光子学报》
原生大尺寸籽晶对高效多晶硅铸锭质量的影响第26-29页
关键词: 大尺寸  籽晶  多晶硅铸锭  晶体质量  
2019年第04期 《太阳能》
国内唯一掌握砷化镓“开盒即用”的产业化技术第40-40页
关键词: 砷化镓  产业化技术  工艺技术问题  加工工艺技术  半绝缘  生长工艺  加工技术  晶体质量  单晶材料  批量生产  
2005年第04期 《半导体信息》
多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合第96-99页
关键词: mocvd  双晶衍射分析  gaalinp  半导体发光材料  摇摆曲线  晶格  晶体质量  
2004年第01期 《人工晶体学报》
γ-LiAlO2晶体的退火研究第922-925页
关键词: 温度梯度法  晶体质量  退火气氛  衍射分析  晶格  单晶  表面结构  lialo2  多晶  透明  
2004年第06期 《人工晶体学报》
点状籽晶法生长DKDP晶体的研究第71-76页
关键词: dkdp晶体  点状籽晶  溶液  稳定性  电光性能  纯度  饱和点  过饱和度  生长速度  晶体质量  
2004年第01期 《人工晶体学报》
SPRI 2004年度科学技术奖获奖论文——“水分-蔗糖交互作用,晶体质量和白糖的贮存稳定性”的摘要第16-16页
关键词: 交互作用  晶体质量  白糖  贮存稳定性  结块现象  
2004年第03期 《轻工科技》
全球最高重量级别人造蓝宝石晶体在我国诞生第79-79页
关键词: 蓝宝石晶体  重量级  人造  电子材料  自主研发  生产车间  晶体质量  有效长度  
2018年第03期 《新材料产业》
Al化衬底对MOCVD生长AlN的影响第15-19页
关键词: 衬底处理  al  n  晶体质量  应变  
衬底的Al化处理对AlN性能的影响第1540-1544页
关键词: 衬底的al化处理  mocvd  aln  晶体质量  应变  
2017年第08期 《人工晶体学报》
高温MOCVD外延生长AlN材料研究第43-49页
关键词: aln  高温mocvd  晶体质量  生长速率  
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响第780-785页
关键词: 氮化镓  梯度铝镓氮缓冲层  晶体质量  应力  
2017年第06期 《发光学报》
不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响第305-309页
关键词: 绝缘体上锗  张应变  锗浓缩  晶体质量  
2017年第04期 《半导体技术》
图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响第31-34页
关键词: ingan  图形化衬底  分子束外延  晶体质量  
2016年第16期 《材料导报》
日立公司成功开发3英寸GaN衬底第20-21页
关键词: gan  日立公司  缺陷密度  晶体质量  机械应力  金属层  晶格常数  钛金属  剥离法  技术创新  
2007年第04期 《半导体信息》
富士通宣布制造出工作寿命最长的GaNHEMT第20-21页
关键词: 工作寿命  ganhemt  富士通公司  蜂窝基站  泄漏电流  晶体质量  
2007年第06期 《半导体信息》
生长温度稳定性对两面顶细粒度金刚石性能的影响第43-46页
关键词: 两面顶  细粒度金刚石  温度稳定性  晶体质量  
Properties of Insensitive Octogen第295-296页
关键词: 晶体质量  灵敏性  扫描电子显微镜  激光散射  
2007年第03期 《含能材料》
过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响第58-61页
关键词: 过渡层  生长温度  晶体质量