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世界首次Plessey宣布开发出硅基InGaN红光LED
第17-17页
关键词: 红光led 绿光led 腔损耗 ingan 边缘效应 颜色转换 硅基
2019年第06期
《半导体信息》
X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响
第1-5页
关键词: 发光二极管 可见光通讯 x射线 重离子 辐射效应 位移损伤
2019年第06期
《微处理机》
p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究
第209-217页
关键词: 数值模拟 ingan 同质结 太阳电池
2019年第19期
《物理学报》
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)
第648-653页
关键词: ingan gan 发光二极管 激光二极管 多量子阱 金属有机化学气相沉积 氮化物半导体 外延技术 生长
2005年第09期
《物理》
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)
第718-724页
关键词: 发光二极管 金属有机化学气相沉积 激光二极管 外延技术 半导体 斯塔克效应 生长 量子阱
2005年第10期
《物理》
量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响
第102-104页
关键词: 量子点 类氢杂质态 变分法 量子尺寸效应 束缚能
2012年第02期
《轻工学报》
InGaN基可见光光电二极管研究进展
第108-112页
关键词: ingan 可见光光电二极管
2018年第03期
《广东开放大学学报》
InGaN基可见光光电二极管研究进展
第108-112页
关键词: ingan 可见光光电二极管
2018年第03期
《广东开放大学学报》
多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究
第1-4页
关键词: gan基led 多量子阱 ingan 垒结构
2013年第09期
《科技创新导报》
InGaN蓝光LED的发射光谱、色品质与正向电流的关系
第14-18页
关键词: ingan 蓝光led 发射光谱 正向电流 蓝色发光二极管
2004年第01期
《照明工程学报》
低色温(3450—2700K)白光LED的发射光谱和色品质特性
第42-45页
关键词: 白光led 发射光谱 品质特性 色温 红色荧光体 ingan 高显色性 色品坐标 显色指数 光学特性 变化规律 黄绿色 光转换 ra 光效 蓝色
2005年第01期
《照明工程学报》
半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备
第104-112页
关键词: si ingan 黄光 led 金属有机物化学气相沉积
2019年第16期
《物理学报》
硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制
第58-61页
关键词: ingan 多量子阱 led 材料生长 低压金属有机化学气相沉积 硅衬底 研制 反向漏电流 晶格失配 si衬底 外延材料 工作电压 发光波长 外延片 缓冲层 ied 热失配 ain 管芯
2005年第05期
《高技术通讯》
InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱
第39-43页
关键词: 多量子阱 光荧光 快速热退火 mocvd 发光峰 红移 拉曼光谱 荧光光谱 光学性质
2005年第01期
《光谱学与光谱分析》
硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用
第1722-1729页
关键词: 光致荧光 时间分辨荧光谱 硅衬底
2018年第12期
《发光学报》
量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响
第961-967页
关键词: mocvd 黄光led 生长气压 光电性能
2018年第07期
《发光学报》
基于Callaway模型InGaN材料导热系数的理论研究
第929-933页
关键词: callaway模型 ingan 导热系数
2018年第05期
《人工晶体学报》
基于第一性原理N型InGaN电子结构和热电性质计算
第252-252页
关键词: ingan 第一性原理 热电优值
2018年第25期
《科技风》
GaN基半导体技术的空间应用研究与展望
第60-67页
关键词: 空间太阳能电站 宽禁带半导体 gan hemt ingan
2018年第02期
《空间电子技术》
厚度为0.35mm的发光三色LED
第108-108页
关键词: 三色led 35mm alingap ingan 发光 厚度 阳极连接 微型封装 超薄手机
2005年第08期
《今日电子》
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