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ROHM旗下LAPISS emiconductor开发出搭载超高速串行总线的铁电存储器“FeRAM MR44V064B/MR45V064B”
第84-84页
关键词: 高速串行总线 铁电存储器 feram semiconductor 搭载 开发 医疗保健设备 汽车导航系统
2016年第04期
《信息技术与网络安全》
德日两企业首次试制成功立体电客器FeRAM
第17-17页
关键词: 铁电存储器 存储单元 feram 存储阵列 铁电材料 德国英飞凌科技公司 日本东芝公司
2004年第08期
非易失性存储器:最新发展趋势及测试评估设备
第19-25页
关键词: 非易失性存储器 espec公司 发展趋势 多电平应用 闪存 mram oum feram 持久力测试 操作扰动测试 坏块控制
2004年第04期
《中国集成电路》
工作于宽电源范围下的FeRAM
第65-65页
关键词: feram 宽电源 铁电存储器 医疗设备 计量设备 智能仪表 数据备份 数据获取
2017年第12期
《今日电子》
一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用
第123-129页
关键词: 铁电电容 宏模型 稳态模型 feram 读出容限
2004年第01期
《固体电子学研究与进展》
富士通将上市新型8位微控制器
第7-7页
关键词: 8位微控制器 富士通 上市 铁电随机存储器 系统级封装 feram 数字产品 强介电体 16位 内存 闪存
2005年第07期
《机电工程技术》
FeRAM和MRAM被英飞凌视为替代DRAM和闪存的首选
第65-65页
关键词: feram mram 英飞凌公司 发展策略
2004年第10期
《信息化研究》
富士通推出配备2kbFeRAM的RFID标签芯片
第26-26页
关键词: rfid标签 富士通 芯片 配备 推出 质量管理系统 feram 2005年
2005年第08期
《金卡工程》
富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
第131-131页
关键词: 东京工业大学 feram 富士通 材料 技术开发 铁电随机存储器
2006年第09期
《电子与电脑》
新闻总汇
第139-140页
关键词: cadence 新闻 东京工业大学 设备解决方案 工艺开发 合作开发 系统级芯片 256mb feram 低功耗技术
2006年第09期
《电子设计应用》
富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
第35-35页
关键词: 东京工业大学 bit feram nm 技术开发 数据存储容量 fujitsu 随机存储器 技术制造 氧元素 富士通微电子
2007年第01期
《半导体信息》
富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
第131-131页
关键词: 东京工业大学 feram 富士通 材料 技术开发 铁电随机存储器
2006年第09期
《工业和信息化教育》
精工爱普生宣布成功应用氟聚物制作存储元件
第5-5页
关键词: 应用物理学 存储元件 爱普生 制作 氟聚物 非挥发性存储器 feram
2006年第09期
《有机硅氟资讯》
无铅的计算机信息存贮器材料
第72-72页
关键词: 材料化学 无铅化 计算机信息 存贮器 feram 过渡金属氧化物 挥发性组分 钛酸钡薄膜
2006年第06期
《大学化学》
富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料
第4-4页
关键词: 东京工业大学 feram 富士通 铁电随机存储器 数据存储容量 合成材料
2006年第09期
《中国集成电路》
富士通联合开发出FeRAM新材料
第14-14页
关键词: feram 富士通 铁电随机存储器 新材料 东京工业大学 数据存储容量
2006年第09期
《世界电子元器件》
65nm技术开发的FeRAM材举存储能力高达256Mb
第37-37页
关键词: feram 技术开发 256mb 存储能力 铁电随机存储器 数据存储容量 random access
2006年第10期
《今日电子》
EEPW网站精彩内容摘录
第72-72页
关键词: vxworks 网站 feram 职业规划 文件系统 英特尔 dsp faq
2007年第05期
《电子产品世界》
富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料
第51-51页
关键词: feram 富士通研究所 存储材料 铁电随机存储器 东京工业大学 90nm工艺
2008年第13期
《家电科技》
港芯科技推出两款CPU双界面智能卡芯片
第48-48页
关键词: 智能卡芯片 双界面 cpu 科技 eeprom 非接触式 feram 介面
2012年第08期
《金卡工程》
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