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阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善
第767-772页
关键词: gan 光学特性 silvaco仿真
2019年第10期
《半导体技术》
ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长
第654-659页
关键词: zno一维纳米结构 异质结 多量子阱 一维纳米线 外延生长 异质结构 zno 一维纳米结构 纳米光电子学 半导体纳米材料
2005年第09期
《物理》
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)
第648-653页
关键词: ingan gan 发光二极管 激光二极管 多量子阱 金属有机化学气相沉积 氮化物半导体 外延技术 生长
2005年第09期
《物理》
电子在
多量子阱
中传输特性分析
第266-269页
关键词: 多量子阱 电子分布 量子力学
2015年第03期
《量子光学学报》
多量子阱
垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究
第1-4页
关键词: gan基led 多量子阱 ingan 垒结构
2013年第09期
《科技创新导报》
中国大陆开发出第一支近UV激光二极管
第5-6页
关键词: 激光二极管 uv mocvd 近紫外 电探测器 超晶格 外延生长 多量子阱 批量生产 有源区
2005年第05期
《半导体信息》
用分子束外延法生长蓝光二极管
第19-19页
关键词: 分子束外延法 脊形波导 输出波长 激光二极管 汽相外延 阈值电流 多量子阱 分子束外延生长 掺杂物 有机金属
2004年第05期
《半导体信息》
台湾交通大学制造出高性能850 nm InGaAsP/InGaP应变补偿
多量子阱
VCSEL
第2-2页
关键词: vcsel 多量子阱 交通大学 光致发光 斜率效率 组份 面发射 调制带宽 调制电流 计算优化
2005年第02期
《半导体信息》
半导体与微电子技术
第34-39页
关键词: 半导体制造 欧姆接触 锑化镓 场效应晶体管 多量子阱 双极晶体管 印刷电路板 bennett 发光二极管 磁极化子
2005年第04期
《电子科技文摘》
半导体微电子技术与纳米技术
第25-29页
关键词: 纳米技术 二维电子气 外延片 发光学报 固体电子学 多量子阱 取向生长 输运特性 量子点激光器
2005年第03期
《电子科技文摘》
多量子阱
被动锁模半导体激光器的啁啾分析
第1-4页
关键词: 啁啾 多量子阱 被动锁模 半导体激光器 光纤通信
2005年第05期
《天津理工大学学报》
硅衬底InGaN
多量子阱
材料生长及LED研制
第58-61页
关键词: ingan 多量子阱 led 材料生长 低压金属有机化学气相沉积 硅衬底 研制 反向漏电流 晶格失配 si衬底 外延材料 工作电压 发光波长 外延片 缓冲层 ied 热失配 ain 管芯
2005年第05期
《高技术通讯》
InGaN/GaN
多量子阱
热退火的拉曼光谱和荧光光谱
第39-43页
关键词: 多量子阱 光荧光 快速热退火 mocvd 发光峰 红移 拉曼光谱 荧光光谱 光学性质
2005年第01期
《光谱学与光谱分析》
InGaN/GaN
多量子阱
蓝光LED外延片的变温光致发光谱
第891-897页
关键词: gan 多量子阱 发光二极管 外延 光致发光
2019年第07期
《发光学报》
黄绿光发光二极管光衰性能研究
第203-206页
关键词: algainp发光二级管 黄绿光 光衰 多量子阱
2019年第03期
《固体电子学研究与进展》
Cu/SiO2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂
第189-193页
关键词: ingaasp 快速热退火 蓝移
2019年第03期
《半导体技术》
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破
第7-7页
关键词: 氮化镓 半导体激光器 波导结构 多量子阱 增益 衬底 光电子材料 突破 中国 项目
2004年第24期
《中国科技成果》
我国氮化镓基半导体激光器研究取得重大突破
第16-16页
关键词: 氮化镓 半导体激光器 波导结构 多量子阱 增益 衬底 光电子材料 突破 中国 项目
2004年第12期
《高科技与产业化》
垒层厚度对InGaN/GaN
多量子阱
电注入发光性能的影响及机理
第208-213页
关键词: 多量子阱 垒层厚度 电注入发光
2018年第02期
《发光学报》
AlGaInAs/InP
多量子阱
激光器的量子阱数的优化
第9-13页
关键词: 多量子阱 激光器 量子阱数 器件模拟
2017年第09期
《激光》
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