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阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善第767-772页
关键词: gan  光学特性  silvaco仿真  
2019年第10期 《半导体技术》
ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长第654-659页
关键词: zno一维纳米结构  异质结  多量子阱  一维纳米线  外延生长  异质结构  zno  一维纳米结构  纳米光电子学  半导体纳米材料  
2005年第09期 《物理》
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)第648-653页
关键词: ingan  gan  发光二极管  激光二极管  多量子阱  金属有机化学气相沉积  氮化物半导体  外延技术  生长  
2005年第09期 《物理》
电子在多量子阱中传输特性分析第266-269页
关键词: 多量子阱  电子分布  量子力学  
2015年第03期 《量子光学学报》
多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究第1-4页
关键词: gan基led  多量子阱  ingan  垒结构  
2013年第09期 《科技创新导报》
中国大陆开发出第一支近UV激光二极管第5-6页
关键词: 激光二极管  uv  mocvd  近紫外  电探测器  超晶格  外延生长  多量子阱  批量生产  有源区  
2005年第05期 《半导体信息》
用分子束外延法生长蓝光二极管第19-19页
关键词: 分子束外延法  脊形波导  输出波长  激光二极管  汽相外延  阈值电流  多量子阱  分子束外延生长  掺杂物  有机金属  
2004年第05期 《半导体信息》
台湾交通大学制造出高性能850 nm InGaAsP/InGaP应变补偿多量子阱VCSEL第2-2页
关键词: vcsel  多量子阱  交通大学  光致发光  斜率效率  组份  面发射  调制带宽  调制电流  计算优化  
2005年第02期 《半导体信息》
半导体与微电子技术第34-39页
关键词: 半导体制造  欧姆接触  锑化镓  场效应晶体管  多量子阱  双极晶体管  印刷电路板  bennett  发光二极管  磁极化子  
2005年第04期 《电子科技文摘》
半导体微电子技术与纳米技术第25-29页
关键词: 纳米技术  二维电子气  外延片  发光学报  固体电子学  多量子阱  取向生长  输运特性  量子点激光器  
2005年第03期 《电子科技文摘》
多量子阱被动锁模半导体激光器的啁啾分析第1-4页
关键词: 啁啾  多量子阱  被动锁模  半导体激光器  光纤通信  
硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制第58-61页
关键词: ingan  多量子阱  led  材料生长  低压金属有机化学气相沉积  硅衬底  研制  反向漏电流  晶格失配  si衬底  外延材料  工作电压  发光波长  外延片  缓冲层  ied  热失配  ain  管芯  
2005年第05期 《高技术通讯》
InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱第39-43页
关键词: 多量子阱  光荧光  快速热退火  mocvd  发光峰  红移  拉曼光谱  荧光光谱  光学性质  
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱第891-897页
关键词: gan  多量子阱  发光二极管  外延  光致发光  
2019年第07期 《发光学报》
黄绿光发光二极管光衰性能研究第203-206页
关键词: algainp发光二级管  黄绿光  光衰  多量子阱  
Cu/SiO2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂第189-193页
关键词: ingaasp  快速热退火  蓝移  
2019年第03期 《半导体技术》
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破第7-7页
关键词: 氮化镓  半导体激光器  波导结构  多量子阱  增益  衬底  光电子材料  突破  中国  项目  
2004年第24期 《中国科技成果》
我国氮化镓基半导体激光器研究取得重大突破第16-16页
关键词: 氮化镓  半导体激光器  波导结构  多量子阱  增益  衬底  光电子材料  突破  中国  项目  
2004年第12期 《高科技与产业化》
垒层厚度对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理第208-213页
关键词: 多量子阱  垒层厚度  电注入发光  
2018年第02期 《发光学报》
AlGaInAs/InP多量子阱激光器的量子阱数的优化第9-13页
关键词: 多量子阱  激光器  量子阱数  器件模拟  
2017年第09期 《激光》