作者：吴华强; 张清天; 高滨; 邓宁; 钱鹤大脑人工读写速度集成密度可扩展性存储数据外加电场存储器
摘要：忆阻器（Memristor）由于其读写速度快、集成密度高、成本低和可扩展性好．被认为是最有希望的下一代新兴存储器技术之一，其核心是利用电介质中缺陷的产生、迁移和恢复来存储数据。在外加电场的作用下，忆阻器的阻值会发生连续且可逆的变化．以此来存储相应的数据。
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《科技纵览》（CN：10-1080/N）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科技纵览》旨在探讨未来技术发展趋势及其对社会和商业的影响，主要内容为报道国际航空航天、计算机和电信、生物医学工程、能源和消费电子等领域的最新技术进展和成果。
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