作者：孙国亮 郑文伟 陈韬文共沉淀法cdzns工艺条件红外发射率
摘要：以Cd（CH3COO）2，Zn（CH3COO）2，Na2S等为原料，通过共沉淀法制备CdZnS半导体颜料，用XRD，EDS，SEM等手段对颜料结构、成分、形貌进行了表征。研究了烧结温度和掺杂含量对CdZnS半导体颜料涂层红外发射率的影响。结果表明，烧结温度和掺杂含量对半导体颜料涂层光学性能有决定性作用，通过调配工艺条件可以获得较低的颜料涂层红外发射率。
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