作者：李辉; 刘哲; 罗至利; 孙国栋; 俞鹏飞超高温陶瓷挥发相图氧化热力学
摘要：采用热力学平衡方法,以1227℃为例,计算了硼化锆（ZrB2）和碳化硅（SiC）的挥发相图,并由此例构建了硼化锆-碳化硅复合材料（ZrB2-SiC）的挥发相图。在1.01×105Pa条件下,计算得到ZrB2和SiC发生氧化的平衡分压logPO2分别为-15.01Pa和-17.04Pa。结果表明,氧气分压会对ZrB2、SiC和ZrB2-SiC的氧化行为产生重要影响。随着氧分压升高,ZrB2主要气相氧化产物的分压增加,SiC主要气相氧化产物的分压先增加后减小。对ZrB2-SiC而言,随着氧分压的增大,在1227℃时体系中的主要气相产物转变序列为SiO（g）→B2O3（g）→BO2（g）。
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