作者：孔令仪; 王智会; 孙泽浩; 孙祥; 熊建功; ...多铁性材料xrd电滞回线漏电流raman谱
摘要：采用溶胶凝胶法成功制备了Ce_（0.05）Bi_（0.95-x）Sr_xFeO_3（x=0,0.05,0.10,0.15）多铁性样品,并且对样品的XRD图谱、电滞回线、漏电流曲线及Raman光谱进行测量与研究。XRD结果表明,随着Sr离子掺杂浓度的增加,样品由钙钛矿结构转变为四方晶格结构。电滞回线显示随着Sr离子掺杂浓度的增加,样品的室温铁电性得到了改善。漏电流曲线表明Sr离子掺杂浓度的增加并不能很好地抑制漏电流的产生。通过Raman谱分析得出,Sr离子的掺杂导致Bi-O共价键结构发生变化,并且Sr离子浓度的增加使氧八面体扭曲程度加剧,进而引起了漏电机制的改变,使得样品的铁电性能发生了变化。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
