作者:苗文生掺砷衬底自掺杂自封闭
摘要:本文论述的N/N+EPI,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层.因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性,便成为N/N+外延的技术难题.
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《甘肃科技》(CN:62-1130/N)是一本有较高学术价值的大型半月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《甘肃科技》面向国内外公开发行的综合性指导类科技期刊。立足甘肃,实现科研成果转化,开展学术交流的重要媒体。
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