作者：张静; 郑德一; 程程; 张浩bczt无铅压电陶瓷sio2掺杂性能研究
摘要：本文采用固相反应的方法掺杂SiO2，在1350℃烧结成功制备出了（Ba0.85，Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3-xSiO2（x=0、0．2、0．4、0．6、0．8、1．0wt．％）无铅压电陶瓷。通过采用XRD、SEM对其组织结构及显微形貌进行分析；并用相关仪器测试了样品的压电及介电性能。结果表明，通过XRD数据分析，1350℃烧结后得到的Si掺杂BCZT陶瓷可获得单一的钙钛矿结构陶瓷。SEM图像分析得出，Si掺杂可促使晶粒迅速长大，与此同时，气孔尺寸也随着掺杂量的升高而长大。当SiO2掺杂量为0．6％，烧结温度为1350℃时，陶瓷具有最优性能：d33=217pC／N，ετ=2065，tanδ=0．0166，kp=37．9％。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
