作者：宋功明; 徐公杰; 王耀乐第一性原理计算单层二硫化钼砷烷吸附
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，研究了掺杂的单层二硫化钼（MoS2）对砷烷分子（AsH3）吸附特性。讨论了砷烷分子在本征二硫化钼上不同位置对吸附特性的影响。针对本征二硫化钼对砷烷吸附较弱，对单层二硫化钼进行掺杂，通过硅原子（Si）取代晶胞中的硫原子（S）来实现吸附增强。计算结果显示，相比于本征二硫化钼层，掺杂Si的二硫化钼对砷烷分子具有更优良的吸附特性；具有更小的吸附高度，更小的吸附能，更显著的电荷转移，以及与砷烷分子间更强的相互作用。这些研究结果为单层二硫化钼在对环境气体的吸附应用提供了理论基础。
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