作者：桂军敏; 倪玉山桥域法定量化统计纳米摩擦位错
摘要：采用桥域方法（bridging domain method）对纳米尺度下Cu薄膜表面摩擦过程进行模拟，主要对不同压头压入深度和摩擦速度下的模拟结果进行对比分析。对摩擦阻力和系统变形能的对比分析表明，压深增大使得摩擦阻力和变形能显著增加，而摩擦速度增大对二者并无显著影响；对位错原子数目的统计分析表明，压深变化对摩擦过程中不全位错和全位错的发生具有明显影响，表现为不全位错和全位错原子数目随压深增加而显著增加；定量化分析位错、孪晶等不同变形机制对总应变的贡献比重表明，压深变化对摩擦过程中不同变形机制的应变贡献影响有差异，主要表现为FCC原子应变贡献随压深增加而降低，位错、孪晶原子应变贡献受压深变化影响较小。摩擦速度变化对摩擦过程中不全位错、全位错的发生以及不同变形机制的总应变贡献均无明显影响，这与不同摩擦速度下摩擦阻力、变形能的分析结果一致。
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