作者：王叶安; 傅雅卿; 李健文; 李未; 何玉平复合薄膜铁电性铁磁性磁电耦合效应
摘要：利用射频磁控溅射法在Pt（200）／TiO2／SiO2／Si（100）衬底上沉积Ba0.8Sr0.2TiO3／CoFe2O4异质结层状多铁磁电耦合复合薄膜。Ba0.8Sr0.2TiO3／CoFe2O4异质结复合薄膜为多晶，由钙钛矿Ba0.8Sr0.2TiO3相和尖晶石CoFe2O4相组成。复合薄膜表现为良好的铁电性和铁磁性共存。在测量磁场平行于样品表面情况下测得的复合薄膜的饱和磁化强度（Ms）、剩余磁化强度（Mr）值要大于在测量磁场垂直于样品表面时测得的Ms、Mr值。另外，复合薄膜具有直接的磁电耦合效应，磁电电压系数αE先随着偏置磁场Hdc的增大而增大，当偏置磁场Hdc增加到445．8kA／m后，αE反而随偏置磁场的增加而减少。当偏置磁场Hdc=445．8kA／m时，复合薄膜具有最大的磁电电压系数αE=18．8mV／A。
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