作者：李春亚; 张浩; 宋建涛; 丁星伟; 魏斌原子层沉积al2o3薄膜三甲基铝脉冲
摘要：采用原子层沉积技术（ALD）进行Al2O3薄膜工艺研究,获得85℃低温Al2O3薄膜ALD的最佳工艺条件。使用椭偏仪测试厚度,使用扫描探针显微镜对薄膜表面形貌进行分析,使用紫外-分光光度计对薄膜的透过率进行分析,所用水汽透过率测试仪器是自行开发的基于钙电学法的测试仪器。分析了在85℃低温下的生长工艺条件对薄膜性能的影响,从前驱体脉冲时间,吹扫时间等工艺条件,对Al2O3薄膜的工艺条件进行优化。以三甲基铝（TMA）和H2O为前驱体制备的Al2O3薄膜：沉积速率为0.1nm/cycle,表面粗糙度为0.46nm,对550nm波长光透过率为99.2%,薄膜厚度不均匀性为1.89%,200 nm的Al2O3薄膜的水汽透过率为1.55×10~（-4） g/m~2/day。
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