作者：毛开礼; 王英民; 李斌; 赵高扬同质外延氯化氢快速外延刻蚀工艺
摘要：10kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H～SiC外延生长工艺要求。4°4H—SiC厚膜外延生长时，对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题，使用HCl气体作为含Cl化合物，研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H—SiC外延层质量的影响。采用1620℃HCl气体刻蚀衬底5min，1600℃外延生长的工艺，可以有效降低三角缺陷数量，同时避免台阶聚并的形成。通过刻蚀工艺，以平均55．2μm／h的外延速率生长了平均55．2μm厚的高质量4H—SiC外延层，三角缺陷数量〈1个／cm2，表面粗糙度0．167nm。
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