作者：李瑾瑾; 朱归胜; 徐华蕊; 王盼无衬底薄膜牺牲层介电性能
摘要：为了进一步减小芯片用嵌入式电容的体积,实现电容器的薄型化与小型化,采用溶胶-凝胶法在可热解衬底上制备了无衬底BaTiO3薄膜,实现了薄膜的剥离与转移,并利用XRD、SEM及AFM研究了不同退火条件下BaTiO3薄膜的晶相结构及表面形貌,利用阻抗分析仪测试了BaTiO3薄膜的介电性能。结果表明：BaTiO3薄膜在800℃退火处理后呈现出立方相钙钛矿结构,且薄膜晶体结构致密,基本无裂纹,室温下（1kHz）测量其介电常数为245,介电损耗为0.057。无衬底BaTiO3薄膜的制备可大大降低薄膜电容器的体积,且不会损害其介电性能,为制备嵌入式薄膜电容器提供了一种新方法。
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