作者：黄燕华; 韩响; 陈松岩纳米结构表面减反
摘要：以铜（Cu）作为催化剂，采用两步化学腐蚀法成功制备了微纳米多孔硅（PS）。本文方法成本低廉、操作简易。系统研究了腐蚀液中H202浓度、Si衬底掺杂浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对PS表面形貌和腐蚀深度的影响，并得到最佳制备参数。高、低掺Si衬底所采用的最佳配比腐蚀液中的H2O2浓度分别达到0．70mol／L和0．24mol／L。在25℃腐蚀液中，腐蚀2h得到约200nm深的纳米级孔洞，其表面反射率在宽波段内降低到5％以下；而在50℃腐蚀液中，经过2～4h的腐蚀，可得到14-41μm深的结构稳定的微纳米级孔洞。文中还对Cu辅助腐蚀与其他金属辅助腐蚀（MACE）作了对比，分析了Cu辅助腐蚀获得锥状孔洞的原因和机理。
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