作者：施书哲; 徐明; 黄礼胜; 刘云飞; 卢都友; ...纳米结构氧化物半导体材料气相生长工艺
摘要：通过一种简单的无催化剂存在的气相生长工艺制备了侧面长成梳状结构的ZnO纳米线阵列.沿[0001]方向生长的ZnO纳米线按照100～500nm的间隔有规律地排列在梳底一侧.单晶梳底沿着[2 1 1 0]方向生长到±(0110)和±(0001)面终止.所得均一纳米线的直径和长度分别为40～100 nm和0.5～2.0μm.纳米线阵列的侧面生长成为微米梳,是气体分子自组装成纳米线和一步法组装成微米结构的重要例子.本文详细讨论了ZnO纳米线阵列生长成为微米梳的生长机理.
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