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NAND Flash存储关键技术

作者:刘航航 李晓颖 杨云刚 薛小乐nandflash坏块管理数据存储

摘要:为提高NAND Flash数据存储的可靠性,阐述了坏块管理的基本思想,探讨了坏块跳过、坏块替换和动态坏块管理三种方案,探究了基于汉明码的BCH码的数据校验算法。为提高NAND Flash存储效率,研究了Multi-Plane操作、Interleaved Die操作、多片Flash阵列流水线技术等方法。研究分析表明坏块管理策略和数据检验可提高NAND Flash数据存储可靠性,流水线操作等技术可提高NAND Flash存储效率。

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弹箭与制导学报

《弹箭与制导学报》(CN:61-1234/TJ)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《弹箭与制导学报》办刊宗旨是报道导弹、制导、控制、导航、弹药、火箭、弹道、气动力、模拟及相关技术领域的学术论文,报道该专业领域最新研究动态和科研成果,为该专业领域的科研、生产、教学、部队使用服务。

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