作者：陆玉; 张秋香; 周小亮; 陆洪彬; 许琦汞密度泛函理论吸附
摘要：采用密度泛函理论计算了Hg、HgCl、HgCl2在CeO2（111）表面的吸附构型、吸附能和态密度。结果表明，Hg在CeO2（111）表面属于弱化学吸附。HgCl与CeO2（111）表面为强化学吸附，是反应的重要中间体。HgCl2在CeO2（111）表面是物理吸附，易发生解离，脱除。氯对于汞的吸附和氧化产生较强的影响，这与实验结果相一致。基于计算结果，得到汞在CeO2（111）表面的反应机理。
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