作者：高志飞; 朱辰; 马向阳; 杨德仁电致发光硅基器件ar等离子体处理
摘要：在我们以前的工作口0中，报道了基于重掺硼硅片（p^＋-Si）上掺Er的TiO2（TiO2：Er）薄膜的TiO2：Er／p^＋-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO2：Er薄膜的氩（Ar）等离子体处理对TiO2：Er／p^＋-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现：Ar等离子体处理使TiO2：Er／p^＋-Si异质结器件与Er^3＋离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强，同时也增强了与TiO2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO2：Er薄膜中的氧空位浓度，不但增强了与氧空位相关的电致发光，而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO2基体向Er^3＋离子的能量传递，从而增强了Er抖离子的发光。
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