作者：徐辉; 李丹青; 应健锋; 李扬集成电路老化效应最佳占空比负偏置温度不稳定性多输入向量控制遗传算法
摘要：纳米工艺下,负偏置温度不稳定性(NBTI)成为影响电路老化效应的主导因素。多输入向量控制(M-IVC)是缓解由于NBTI效应引起电路老化的有效方法,而M-IVC的关键是最佳占空比的求解。在充分考虑时序余量的设计与电路实际操作情况下,对电路采用了静态时序分析,精确定位电路中关键路径。对关键路径采用改进的自适应遗传算法求解最佳占空比。实验结果表明:在时序余量为5%时,电路的平均老化率相比现有方案降低了1.49%,平均相对改善率为18.29%。
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