作者：施朝霞; 李如春双结光电二极管暗电流版图优化荧光检测
摘要：双结p+/n-well/p-sub光电二极管由于其较高灵敏度、低暗电流而成为荧光检测光电传感单元的最佳选择。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结p+/n-well/p-sub光电二极管进行了版图优化设计,有效减少了硅和二氧化硅界面对光电二极管光吸收区暗电流的影响。流片后测试表明优化后版图面积为100μm×100μm,双结p+/n-well/p-sub光电二极管单元的暗电流从11pA减小到了6.5pA,光电流从2.15nA稍有减弱到2.05nA,光暗电流比值提高了60%。优化后的双结p+/n-well/p-sub光电二极管更适用于对微弱的荧光信号检测。
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